中国半导体传出利好消息，中芯国际制程有望赶超英特尔（组图）

近日，中国的半导体产业传出一系列消息。中芯国际官宣完成了FinFET N+1先进工艺的芯片流片和测试，所有IP全部是自主国产，很快就能实现7nm芯片的量产；全球最大光刻机生产巨头ASML对外宣布，可以从荷兰向中国出口DUV光刻机，无需美国许可；华为也正式宣布了Mate40的发布日期为10月22日，华为消费者业务CEO余承东在微博上放出豪言，该机型是“史上最强的华为Mate”。

据中国“21世纪商业评论”撰文称，这一系列“利好”，证明了中国半导体产业链的抗压性越来越强。2020年4月，华为旗下手机品牌荣耀的Play 4T机型，就采用了中芯国际14nm工艺制造的麒麟710A。

事实上，高端芯片一直是中国半导体行业的痛点，尤其是7nm和5nm制程工艺的芯片，可以说决定了当前电子设备的科技含量，全球的科技厂商对此需求极大，也是华为手机最受美国掣肘之处。

从芯片代工巨头台积电第三季度的财报，也可见一斑。10月15日，台积电披露了各大芯片制程工艺的营收占比状况，7nm工艺仍是第一大收入来源，占比为35%，2020年一度投产的5nm工艺贡献了近10亿美元，占比8%。此外16nm工艺为18%、20nm工艺为1%、28nm工艺为12%，其他工艺为26%。

在第三季度，台积电的营收也达到121.4亿美元，创下新高。

在台积电独领风骚的情况下，中芯国际能够通过自主研发实现7nm芯片的量产，以及ASML可以绕开美国许可为其供货，对中国的半导体产业链来说，无疑能带来巨大突破。

一篇题为《“国产芯”突围刻不容缓》的文章写道：“芯动科技首个基于中芯国际先进工艺的芯片流片和测试成功，不仅意味着具有自主知识产权的'国产芯'再次打破国外垄断，同时也说明'国产版'的7nm芯片制造技术已经得到突破。”

关于N+1工艺，中芯国际联合CEO梁孟松2020年初曾透露，该工艺在功率和稳定性方面和7nm工艺非常相似，且不需要EUV光刻机，但在性能方面提升还不够，所以N+ 1工艺是面向低功耗应用领域的。

福布斯中文网也在2020年3月的报道中指出，中芯国际的7nm工艺发展跟台积电路线差不多，7nm节点一共发展三种工艺，分别是低功耗的N7、高性能的N7P、使用EUV工艺的N7+。

需要注意的是，目前世界上可以量产7nm芯片的晶圆代工厂商仅台积电和三星两家，英特尔10nm产品刚上市不久，7nm芯片可能推迟至2023年。这意味着，中芯有望在制程上赶超英特尔。

创道投资咨询合伙人步日欣对《21CBR》表示，ASML对中国DUV光刻机供货一直正常，中芯国际受限的只是最高端的EUV光刻机。虽然EUV光刻机本来根据现有规则，不超过美国25%的技术，可以向中国供货，但是受美国的阻挠，一直没有恢复。EUV光刻机不能及时到货，是制约中芯国际向高级线程工艺进展的瓶颈。

“虽然消息称，在现有光刻机基础上，中芯国际已经实现了媲美7nm工艺的N+1工艺，但从芯片效能和制造成本等角度看，与更高级光刻机实现效果不可避免会有一定差距。中芯国际真正要实现质的突破，还需要更高级的光刻机助力。”步日欣认为，中芯国际5nm2021年商用也不太可能。

国海证券10月14日的报告指出，自中芯国际证实被美国列入投资管制清单，国内半导体产业波动加大，中长期看国内半导体全面国产替代势在必行，给予行业“推荐”评级。

中航证券分析师表示，应对美国从产业链和资本运作双方面施压、进一步遏制其自造芯片能力的手段，一方面，中国企业为不断提高上游产品库存，另一方面投入更多科研力量，填补中国半导体产业链空白。

长期来看，摆脱对国外产品的依赖，符合中国产业链转型的发展需求，美国遏制中国半导体产业链的发展也在反向促进中国国产替代的不断发展。